1. 研究目的与意义
本课题的现状及发展趋势：SOI早期的主要应用集中在航空、航天和军事，现在拓展到功率和智能器件以及微电子机械系统(MEMS)应用。特别是在汽车电子、显示、无线通讯等方面发展迅速。SOI主要的发展趋势：应变硅、薄埋层的SOI材料、面向射频(RF)的SOI。本课题的价值：SOI器件具有高速、低功耗、抗辐照、高集成度、漏电流小等优点，因此被广泛应用在VLSI领域，如射频集成电路或功率集成电路等。调整器件的栅极长度、沟道尺寸、各区域的掺杂浓度对于提高器件的击穿电压和降低器件的导通电阻有着重要意义，可以在一定程度上提高器件的性能参考文献：
[1] 陈猛, 王一波. SOI材料的发展史、应用现状与发展新趋势（下）[J]. 中国集成电路, 2007, 99: 44-48.
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2. 研究内容和问题
基本内容：基于SilvacoTCAD软件，得出SOILDMOS器件的工艺结构设计。
考虑各个区域的掺杂浓度，栅极长度，沟道尺寸等参数对器件电学特性的影响，找出器件最佳性能的参数值。
主要研究的器件特性有转移特性，输出特性，电场分布，耐压性以及比导通电阻等。
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3. 设计方案和技术路线
研究方法：在掌握SOILDMOS器件结构特性的基础上，采用SilvacoTCAD工艺仿真工具athena或者atlas设计出该器件的结构，在atlas模拟器中得出器件的各项性能指标。
改变不同的参数进一步研究SOILDMOS器件的电学特性，分析特性参数的影响。
技术路线：（1）查阅资料了解SOI LDMOS器件的结构和性能。
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4. 研究的条件和基础
掌握固体物理或半导体物理基础知识，熟悉SilvacoTCAD软件，具备一定的中英文文献的查阅和阅读能力。
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