1. 本选题研究的目的及意义
GaAs作为一种重要的III-V族化合物半导体材料，在光电子器件、高速电子器件等领域具有广泛的应用。
理解GaAs材料中的载流子-声子相互作用机制对优化器件性能、开发新型器件具有重要意义。
LO声子-等离子体耦合模是GaAs材料中一种重要的集体激发模式，它反映了材料中纵向光学(LO)声子和自由载流子(等离子体)之间的相互作用。
2. 本选题国内外研究状况综述
LO声子-等离子体耦合模作为半导体材料中一种基本的物理现象，长期以来受到国内外研究者的广泛关注。
1. 国内研究现状
国内学者在GaAs材料的LO声子-等离子体耦合模研究方面取得了一定的进展。
3. 本选题研究的主要内容及写作提纲
本研究将采用拉曼光谱技术，对不同载流子浓度的GaAs样品进行测量，分析LO声子-等离子体耦合模的频率、线宽等参数随载流子浓度的变化规律，并结合介电函数模型对实验结果进行理论解释。
1. 主要内容
1.研究GaAs材料中LO声子-等离子体耦合模的拉曼光谱特征，分析耦合模的频率、线宽等参数。
4. 研究的方法与步骤
本研究将采用以下方法和步骤开展研究：1.文献调研：查阅国内外相关文献，了解GaAs材料中LO声子-等离子体耦合模的研究现状、研究方法和最新进展，为本研究提供理论基础和方法指导。
2.样品准备：制备不同载流子浓度的GaAs样品，并对其进行必要的清洗和处理，以满足拉曼光谱测量的要求。
3.拉曼光谱测量：利用拉曼光谱仪对GaAs样品进行测量，获得不同载流子浓度下GaAs的拉曼光谱数据。
5. 研究的创新点
本研究的创新点在于：1.采用拉曼光谱技术系统研究了不同载流子浓度下GaAs材料中LO声子-等离子体耦合模的特性，揭示了耦合模频率、线宽与载流子浓度之间的关系，为GaAs材料的表征和性能优化提供了新的思路和方法。
2.结合介电函数模型对实验结果进行理论解释，建立了耦合模特性与材料参数之间的联系，深化了对GaAs中载流子-声子相互作用机制的认识。
3.本研究的结果不仅对GaAs材料的研究具有重要意义，而且对其他半导体材料中LO声子-等离子体耦合模的研究也具有一定的参考价值。
6. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
7. 参考文献（20个中文5个英文）
[1] 赵凯. GaAs纳米结构光学性质的第一性原理研究[D].济南:山东师范大学,2018.
[2] 张雷. 低维半导体材料声子性质和热输运性质的理论研究[D].重庆:重庆大学,2019.
[3] 刘俊. 基于拉曼光谱技术的二维材料光学性质研究[D].长春:中国科学院大学(长春光学精密机械与物理研究所),2021.
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